晶圆代工龙头台积电去年持续扩大研发规模，全年研发费用为29.59亿美元（约折合新台币880亿元）创下历史新高，较前一年成长约4％，约占总营收8.5％。

台积电去年达成的主要成就，包括晶圆出货量达1,010万片12吋晶圆，16纳米及以下更先进制程的销售金额占整体晶圆销售金额的50％，高于前年的41 ％。台积电去年提供272种不同的制程技术，为499个客户生产10,761种不同产品。

此外，台积电研发组织人数去年总计6,534人，较前一年成长约5％，此一研发投资规模不仅与世界级一流科技公司相当，甚至超越许多公司规模。

台积电在最新发布的2019年度企业社会责任报告书中指出，为延续摩尔定律，协助客户成功且快速地推出产品，台积电不断投入研发资源，持续提供领先的制程技术及设计解决方案。

台积电去年7纳米增强版技术量产及5纳米技术成功试产，台积电研发组织以不断的技术创新维持业界领导地位，在开发3纳米第六代三维晶体管技术平台的同时，亦开始进行领先半导体业界的2纳米技术，并针对2纳米以下的技术同步进行探索性研究。

除了发展CMOS半导体逻辑技术，台积电亦广泛研发其他半导体技术，提供客户行动系统单芯片（SoC）产品及其他应用所需的芯片功能，例如智能手机、高性能运算（HPC）、物联网（IoT ）、车用电子等应用。

台积电去年亦与全球顶尖的研究机构如美国半导体技术研发中心SRC、比利时IMEC等持续保持强而有力的合作关系，藉由扩大赞助纳米技术研究，厚积创新动能，实现半导体技术演进与未来人才培育的二大目标。

台积电先进封装的布局同样有所突破，包括开发创新的晶圆级封装技术，完成系统整合芯片（TSMC-SoIC）制程认证，大量生产第四代整合型扇出层叠封装技术（InFO-PoP）以支援行动应用处理器封装，并成功验证第五代InFO-PoP先进封装技术以支援行动应用，及第二代整合型扇出暨基板封装（InFO_oS）以支援HPC应用。

此外，台积电的CMOS图像传感器技术，已开发出最新一代次微米像素传感器以支持移动应用，内嵌式三维的金属／介电质／金属（MiM）高密度电容，支持全域快门与高动态范围传感器应用。

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引用自:中国半导体论坛

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