三星12英寸闪存芯片二期一阶段项目竣工投用

7月1日，西安高新区重点项目集中开工、竣工仪式举行，据西安高新区消息，此次集中竣工投用仪式的项目共有25个，总投资560亿元，包括三星12英寸闪存芯片二期一阶段等项目。

西安高新区发文指出，这些项目的顺利投产，将为高新区半导体产业发展注入更强大的动能，进一步巩固高新区全球半导体产业基地的地位。

资料显示，三星存储芯片二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片，分两个阶段进行，其中第一阶段项目总投资70亿美元；第二阶段投资80亿美元。

2020年3月10日，三星（中国）半导体有限公司高端存储芯片二期第一阶段项目产品正式下线。据新华社上个月报道，三星（中国）半导体有限公司高端存储芯片二期第一阶段预计在今年第三季度实现满产。

据此前的消息指出，三星高端存储芯片二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户，使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。

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引用自:全球半导体观察

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