联电积极投入GaN制程开发

联电积极投入GaN制程开发

晶圆代工厂近来积极布局第三代半导体材料氮化镓(GaN)，除龙头厂台积电已提供6英寸GaN-on-Si(硅基氮化镓)晶圆代工服务外，世界先进GaN制程也预计年底送样，联电同样积极投入GaN制程开发，携手子公司联颖布局高效能电源功率元件市场。

联电表示，GaN制程开发是现有研发计划中的重点项目之一，目前与转投资公司砷化镓(GaAs)晶圆代工厂联颖合作，仍处于研发阶段，初期将以6英寸晶圆代工服务为目标，未来也会考虑迈向8英寸代工。

联颖是联电持股81.58%子公司，为其新投资事业群的一员，提供6英寸砷化镓晶圆代工服务，终端产品应用领域包括手机无线通讯、微波无线大型基地站、无线微型基地台、物联网、国防航太、光纤通信、光学雷达，及3D感测元件等。

目前营运持续亏损，去年亏损新台币2.79亿元，今年首季则亏损新台币861万元。

目前包括台积电、汉磊投控集团的晶圆代工厂汉磊科，6英寸GaN-on-Si晶圆代工制程均已量产；台积电今年2月也宣布结盟意法半导体，意法将采用台积电的GaN制程技术，生产氮化镓产品，加速先进功率氮化镓解决方案开发与上市，携手抢攻电动车市场商机。

世界先进在GaN材料上已投资研发4年多，与设备材料厂Kyma、及转投资GaN矽基板厂Qromis携手合作，着眼开发可做到8英寸的新基底高功率氮化镓技术GaN-on-QST，今年底前将送样客户做产品验证，初期主要瞄准电源相关应用。 

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引用自: 电子信息产业网

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