三星电子宣布，公司的3D IC封装技术eXtended-Cube（X-Cube）已通过测试，可立即提供给当今最先进的工艺节点。

利用三星的硅直通（TSV）技术，X-Cube实现了速度和功率效率的巨大飞跃，有助于满足下一代应用（包括5G，人工智能，高性能计算以及移动和科创贷设备应用）的严格性能要求。

三星电子晶圆代工市场战略高级副总裁Moonsoo Kang表示：“三星的新型3D集成技术即使在最先进的EUV工艺节点也可确保可靠的TSV互连。” “我们致力于带来更多的3D IC创新，可以突破半导体的界限。”

借助三星的X-Cube，芯片设计人员可以享受更大的灵活性来构建最适合其独特需求的定制解决方案。三星在 7nm制程的测试过程中，成功利用 TSV 技术将SRAM 堆叠在逻辑芯片顶部，从而释放了空间以将更多的内存封装到更小的占位空间中。

通过3D集成，超薄封装设计显著缩短了芯片之间的信号路径，从而最大程度地提高了数据传输速度和能效。客户还可以将内存带宽和密度扩展到所需的规格。

三星X-Cube经过硅验证的设计方法和流程现已可用于包括7nm和5nm在内的高级节点。在初始设计的基础上，三星计划继续与全球无晶圆厂客户合作，以促进3D IC解决方案在下一代高性能应用中的部署。 

———— / END / ————

引用自:三星电子

免责声明:源自三星电子。文章内容系作者个人观点，转载仅为了传达不同观点交流与提升半导体行业认知，不代表对该观点赞同或支持，如转载涉及版权等问题，请发送消息至公号后台与我们联系，我们将在第一时间处理，非常感谢。