5月27日，华润微电子有限公司代工事业群旗下的无锡华润上华科技有限公司与成都锐成芯微科技股份有限公司宣布，双方联合推出高可靠性eFlash解决方案， 该方案基于华润上华0.153μm 5V EN CMOS工艺，并具有独特的成本优势。

华润上华0.153μm 5V EN CMOS工艺平台由华润上华上一代明星工艺平台（0.18μm EN CMOS工艺平台）优化而来。优化后的工艺成本大大缩减，在未增加光刻层次的情况下，将N/P MOS沟道尺寸缩小到极致，其器件种类多样，适用于MCU、LED显示屏、音频功放、DC-DC等多种应用场景。

成都锐成芯微的LogicFlash? IP具有显著的市场竞争优势，成本优、性能高、可靠性高，并兼容标准CMOS 平台。基于华润上华0.153μm 5V EN CMOS工艺平台，成都锐成芯微能同时提供高可靠性和高密度两个版本的LogicFlash? IP，高密度版本擦写次数可达10K，高可靠性版本擦写次数可达50K。

两款IP读取速度可达25MHz，写入速度可达20μS/byte（超快的写入速度可满足终端客户各种应用场景下对高速读写的需求，并有效降低客户测试成本）；两款IP可在150℃ 结温下工作，满足125℃ 结温下10年的数据保持能力的要求，同时满足消费类和工业类产品需求。

基于华润上华0.153μm 5V EN CMOS工艺平台，成都锐成芯微已完成高密度版本LogicFlash? IP的功能、性能和1000小时可靠性测试，以及高可靠性版本LogicFlash? IP的功能测试。目前，两个版本的IP均有客户使用并成功导入量产，客户反馈该技术方案相比其他解决方案具有高性价比、高灵活性等特点。

华润上华设计服务工程中心总监王浩表示：“0.153μm 5V EN CMOS工艺平台是华润上华近些年重点打造的基础工艺平台，其关键工艺参数（On-BV、ESD、Rdson）在业界处于领先地位。华润上华具备极具市场竞争力的数字单元库（缩小到60%）和SRAM（缩小到58%）。

据市场调研，公司发现其核心客户应用领域从功能单一的ASIC芯片向智能化可编程化的MCU类芯片发展，eNVM是MCU类芯片不可或缺的核心IP。

此次与成都锐成芯微的合作，补齐了华润上华0.153μm 5V EN CMOS工艺平台缺少核心eNVM IP的短板，为客户提供了更高价值的服务，能够帮助客户提高产品竞争力。”

成都锐成芯微首席执行官向建军表示：“成都锐成芯微一直致力于eNVM IP的开发，通过不断加大研发投入，优化设计，确保在保持高性能的条件下，不断提升成本竞争力，满足客户对于eNVM IP的多样性需求。

此次和华润上华在0.153μm 5V EN CMOS工艺平台的合作，也是为了更好地满足市场需求，为全球客户提供极具成本优势的高性能eNVM 技术。” 

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引用自: 成都锐成芯微科技股份有限公司

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