近日，华虹半导体有限公司宣布，其高性能90纳米BCD工艺平台在华虹无锡12英寸生产线顺利实现产品投片。该工艺可极大提高电源效率、显著缩减芯片面积，将在数字电源、数字电机驱动、数字音频功放等芯片领域获得广泛应用。

紧贴电源管理技术高集成度和智能化的发展趋势，华虹半导体最新推出了90纳米BCD工艺平台，其LDMOS涵盖5V至24V电压段，其中Switch LDMOS具有耐高击穿电压下的较低导通电阻，达到业界先进水平。

为了满足高集成度发展趋势，该工艺平台亦提供1.5V CMOS选项，具有更高的逻辑门密度，可有效缩减芯片面积。结合较少的生产掩模数，能为客户提供性价比更优的芯片代工方案。

同时，该平台可提供多种器件集成，并配套丰富的数字单元库和OTP及MTP嵌入式存储器选项，增强了设计的集成度和灵活度。在该平台上，华虹半导体还将继续投入研发资源，提供更丰富的器件类型，并将LDMOS扩展至40V及以上电压段，覆盖更广泛的应用需求。

此外，华虹半导体持续8英寸生产线的研发创新，优化升级现有满足车规要求的180纳米BCD技术，在相同的击穿电压下，导通电阻平均降低约25%，技术性能显著提升，达到业界先进水平。

公司将进一步将180纳米BCD技术中的LDMOS的最高电压由40V扩展至100V，并提供更多电压段的设计选项，满足工业控制及汽车电子领域需求。同时，集成嵌入式闪存模块的110纳米BCD工艺平台，可达到车规级应用要求，实现了高智能化控制与电源管理集成的单芯片解决方案。

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引用自: 华虹半导体

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