器件选型是硬件工程师的基本工作,本文主要从电感的工艺和应用出发,介绍电感如何选型。
电感,和电容、电阻一起,是电子学三大基本无源器件;电感的功能就是以磁场能的形式储存电能量。 以圆柱型线圈为例,简单介绍下电感的基本原理 如上图所示,当恒定电流流过线圈时,根据右手螺旋定则,会形成一个图示方向的静磁场。而电感中流过交变电流,产生的磁场就是交变磁场,变化的磁场产生电场,线圈上就有感应电动势,产生感应电流: *电流变大时,磁场变强,磁场变化的方向与原磁场方向相同,根据左手螺旋定则,产生的感应电流与原电流方向相反,电感电流减小。 *电流变小时,磁场变弱,磁场变化的方向与原磁场方向相反,根据左手螺旋定则,产生的感应电流与原电流方向相同,电感电流变大。
以上就是楞次定律,最终效果就是电感会阻碍流过的电流产生变化,就是电感对交变电流呈高阻抗。同样的电感,电流变化率越高,产生的感应电流越大,那么电感呈现的阻抗就越高;如果同样的电流变化率,不同的电感,如果产生的感应电流越大,那么电感呈现的阻抗就越高。所以,电感的阻抗于两个因素有关:一是频率;二是电感的固有属性,也就电感的值,也称为电感。根据理论推导,圆柱形线圈的电感公式如下:
以看出电感的大小与线圈的大小及内芯的材料有关。实际电感的特性不仅仅有电感的作用,还有其他因素如: *绕制线圈的导线不是理想导体,存在一定的电阻 *电感的磁芯存在一定的热损耗 *电感内部的导体之间存在着分布电容 因此,需要用一个较为复杂的模型来表示实际电感,常用的等效模型如下: 等效模型形式可能不同,但要能体现损耗和分布电容。根据等效模型,可以定义实际电感的两个重要参数。
自谐振频率(Self-Resonance Frequency) 由于Cp的存在,与L一起构成了一个谐振电路,其谐振频率便是电感的自谐振频率。在自谐振频率前,电感的阻抗随着频率增加而变大;在自谐振频率后,电感的阻抗随着频率增加而变小,就呈现容性。 品质因素(Quality Factor) 也就是电感的Q值,电感储存功率与损耗功率的比,Q值越高,电感的损耗越低,和电感的直流阻抗直接相关的参数。自谐振频率和Q值是高频电感的关键参数
二、电感的工艺结构 电感的工艺大致可以分为3种: 2.1 绕线电感(Wire Wound Type)顾名思义就是把铜线绕在一个磁芯上形成一个线圈,绕线的方式有两种: 圆柱形绕法(Round Wound) 圆柱形绕法很常见,应用也很广,例如: 平面形绕法(Flat Wound) 平面形绕法也很常见,大家一定见过一掰就断的蚊香 平面形绕法优点很明显,就是减小了器件的高度。由前文的公式可知,磁芯的磁导率越大,电感值越大,磁芯可以是 *磁性材料:例如空气芯、陶瓷芯,貌似就不能叫磁芯了;这样电感值较小,但是基本不存在饱和电流 *铁磁性材料:例如铁氧体、波莫合金等等;合金磁导率比铁氧体大;铁磁性材料存在磁饱和现象,有饱和电流 绕线电感可提供大电流、高感值;磁芯磁导率越大,同样的感值,绕线就少,绕线少就能降低直流电阻;同样的尺寸,绕线少可以绕粗,提高电流。 另外,电源设计中,经常遇到电感啸叫的问题,本质就是磁场的变化引起了导体,也就是线圈的振动,振动的频率刚好在音频范围内,人耳就可以听见,合金一体成型电感,比较牢固,可以减少振动。
2.2 多层片状电感(Multilayer Type)多层片状电感的制作工艺:将铁氧体或陶瓷浆料干燥成型,交替印刷导电浆料,最后叠层、烧结成一体化结构(Monolithic)。
引自The Wonders of Electromagnetism 多层片状电感的比绕线电感尺寸小,标准化封装,适合自动化高密度贴装;一体化结构,可靠性高,耐热性好。
2.3 薄膜电感(Thin Film Type)薄膜电感采用的是类似于IC制作的工艺,在基底上镀一层导体膜,然后采用光刻工艺形成线圈,最后增加介质层、绝缘层、电极层,封装成型。 薄膜器件的制作工艺,如下图所示
光刻工艺的精度很高,制作出来的线条更窄、边缘更清晰。因此,薄膜电感具有
*更小的尺寸,008004封装
*更小的Value Step,0.1nH
*更小的容差,0.05nH
*更好的频率稳定性
三、电感的应用及选型 电感,从工艺技术上,领先的基本上是三大日系厂商:TDK、Murata、Taiyo Yuden。这三家的产品线完整,基本上可以满足大多数需求。
三家都有相应的选型软件,有电感、电容等所有系列的产品及相关参数曲线。 *SEAT 2013 - TDK
*Simsurfing - Murata
*Taiyo Yuden Components Selection Guide & Data Library 个人感觉TDK和Murata更领先一点,从官网的质量看出来的,像Coilcraft的官网就low一点,毕竟网站也是需要投资的。
在电路设计中,电感主要有三大类应用: *功率电感:主要用于电压转换,常用的DCDC电路都要使用功率电感 *去耦电感:主要用于滤除电源线或信号线上的噪声,EMC工程师应该熟悉 *高频电感:主要用于射频电路,实现偏置、匹配、滤波等电路
3.1 功率电感功率电感通常用于DCDC电路中,通过积累并释放能量来保持连续的电流。功率电感大都是绕线电感,可以提高大电流、高电感;
图出自Murata Chip Inductor Catalog 多层片状功率电感也越来越多,通常电感值和电流都较低,优点是成本较低、体积超小,在手机等空间限制较大的产品中有较多应用。
图出自Murata Chip Inductor Catalog 功率电感需要根据所选的DCDC芯片来选型。通常,DCDC芯片的规格书上都有推荐的电感值,以及相关参数的计算,这里不再赘述。从电感本身的角度来说明如何选型。
上图截图至TY-COMPAS 电感值 通常应使用DCDC芯片规格书推荐的电感值;电感值越大,纹波越小,但尺寸会变大;通常提高开关频率,可以使用小电感,但开关频率提高会增加系统损耗,降低效率;
额定电流 功率电感一般有两个额定电流,即温升电流和饱和电流; 当电感有电流通过的时候,由于损耗的存在,电感发热而产生温升,电流越大,温升越大;在额定的温度范围内,允许的最大电流即为温升电流。 增加磁芯的磁导率,可以提高电感值,通常使用铁磁性材料做磁芯。铁磁性材料存在磁饱和现象,即当磁场强度超过一定值时,磁感应强度不在增加,即磁导率下降了,也就是电感下降了。在额定电感值范围内,允许的最大电流即为饱和电流。
磁滞回线:磁性材料-------铁氧磁体,比重计,多孔性材料密度仪,液体密度计,固体颗粒体积测试仪,磁性材料密度仪。 通常对DCDC电路设计,要计算峰值(PEAK)电流和均方根(RMS)电流,通常规格书中会给出计算公式。 温升电流是对电感热效应的评估,根据焦耳定律,热效应需要考虑一段时间内的电流对时间的积分;选择电感时,设计RMS电流不能超过电感温升电流。为了保证在设计范围内电感值稳定,设计峰值电流不能超过电感的饱和电流。为了提高可靠性,降额设计是必须的,通常建议工作值应降额到不高于额定值的80%。当然降额幅度过大会大幅提高成本,需要综合考虑。
直流电阻 电感的直流电阻会产生热损耗,导致温升,降低DCDC效率;因此,当对效率敏感时,应选择直流阻抗低的电感,例如15毫欧。还有就是根据产品的应用温度要求、是否需要满足RoHS、汽车级Q200等标准的要求、还有PCB结构限制。大电流的应用,电感的漏磁就会相当可观,会对周围电路,例如CPU等造成影响。我之前就遇到过X86的CORE电的电感漏磁造成CPU无法启动的现象。因此,大电流应用,应选择屏蔽性能好的电感并且Layout时注意避开关键信号。
3.2 去耦电感 去耦电感也叫Choke,教科书上通常翻译成扼流圈。去耦电感的作用是滤除线路上的干扰,属于EMC器件,EMC工程师主要用来解决产品的辐射发射(RE)和传导发射(CE)的测试问题。去耦电感,通常结构比较简单,大都是铜丝直接绕在铁氧体环上。个人觉得可以分为差模电感和共模电感。这里不再赘述共模和差模的概念。差模电感差模电感就是普通的绕线电感,用于滤除一些差模干扰,主要就是与电容一起构成LC滤波器,减小电源噪声。
对于220V市电,差模干扰就是L相到N相之间的干扰;对POE来说,就是POE+和POE-之间的干扰;对于主板上的低压直流电源,其实就是电源噪声。 *差模电感选型需要注意一下几点 *直流电阻、额定电压和电流,要满足工作要求 *结构尺寸满足产品要求 *通过测试确定噪声的频段,根据电感的阻抗曲线选择电感 *设计LC滤波器,可以做简单的计算和仿真
磁珠(Ferrite Bead),也常用来滤除主板上的低压直流电源的噪声,但磁珠与去耦电感有区别的。 *磁珠是铁氧体材料烧制而成,高频时铁氧体的磁损耗(等效电阻)变得很大,高频噪声被转化成热能耗散了 *去耦电感是线圈和磁芯组成,主要是线圈电感起作用 *去耦电感可以绕制成较高感值,滤除低频噪声 磁珠等效电路模型
共模电感 共模电感就是在同一个铁氧体环上绕制两个匝数相同、绕向相反的线圈。
如上图所示的共模电感: *当有共模成分流过共模电感时,根据右手定则,会在两个线圈形成方向相同的磁场,相互加强,相当于对共模信号存在较高的感抗;
*当有差模成分流过共模电感时,根据右手定则,会在两个线圈形成方向相反的磁场,相互抵消,相当于对差模信号存在较低的感抗。 换一个方式理解:当V+上流过一个频率的共模干扰,形成的交变磁场,会在另一个线圈上形成一个感应电流,根据左手定则,感应电流的方向与V-上共模干扰的方向相反,就抵消了一部分,减小了共模干扰。
共模电感主要用于双线或者差分系统,如220V市电、CAN总线、USB信号、HDMI信号等等。用于滤除共模干扰,同时有用的差分信号衰减较小。 共模电感选型需要注意一下几点: *直流阻抗要低,不能对电压或有用信号产生较大影响;
*用于电源线的话,要考虑额定电压和电流,满足工作要求;
*通过测试确定共模干扰的频段,在该频段内共模阻抗应该较高;
*差模阻抗要小,不能对差分信号的质量产生较大影响;
*考虑封装尺寸,做兼容性设计。例如用于USB信号的共模电感,选择封装可以与两个0402的电阻做兼容,不需要共模电感时,可以直接焊0402电阻,降低成本。下图是某共模电感的共模阻抗和差模阻抗。
如果共模干扰频率在10MHz左右,滤波效果很好,但如果是100kHz,可能就没什么效果。如果差分信号速率较高,100M以上,可能就会影响信号质量。
3.3 高频电感高频电感主要应用于手机、无线路由器等产品的射频电路中,从100MHz到6GHz都有应用。*高频电感在射频电路中主要有以下几种作用
*匹配(Matching):与电容一起组成匹配网络,消除器件与传输线之间的阻抗失配,减小反射和损耗
*滤波(Filter):与电容一起组成LC滤波器,滤出一些不想要的频率成分,防止干扰器件工作
*隔离交流(Choke):在PA等有源射频电路中,将射频信号与直流偏置和直流电源隔离
*谐振(Resonance):与电容一起构成LC振荡电路,作为VCO的振荡源
*巴仑(Balun):即平衡不平衡转换,与电容一起构成LC巴仑,实现单端射频信号与差分信号之间的转换 之前介绍的三种结构,都可以用来制作高频电感,下面介绍下他们的特点: 多层型多层型通过烧结,形成一个整体结构,或叫独石型(Monolithic)
图出自Murata Chip Inductor Catalog 多层片状电感的,相比于其他两种就是Q值最低,最大的优势就是成本低,性价比高,适合于大多数没有特殊要求的应用。TDK和Taiyo Yuden的高频电感都只有多层型,没有绕线型和薄膜型。TDK的MLK系列、Murata的LQG系列、Taiyo Yuden的HK系列,这三个系列的产品基本一样,最便宜,性价比高。当然随着工艺技术的提升,现在也有高Q值系列的多层片状电感,例如TDK的MHQ系列、太阳诱电的HKQ系列。TDK的多层电感做的更好更全,还有一个MLG系列,有0402封装,感值可以做0.3nH,Value Step 0.1nH,容差0.1nH,接近薄膜电感的性能,价格还便宜。
绕线型 现在的工艺水平已经越来越高,绕线电感也可以做到0402封装。
图出自Murata Chip Inductor Catalog 绕线型工艺,其导线可以做到比多层和薄膜结构粗,因此可以获得极低的直流电阻。也意味着极高的Q值,同时可以支持较大的电流。将无磁性的陶瓷芯换成铁氧体磁芯,可以得到较高的感值,可以应用与中频。Murata的LQW系列可以做到03015封装,最小感值1.1nH;Coilcraft的0201DS系列,可以做到0201封装,号称世界上最小的绕线电感。
薄膜型 采用光刻工艺,工艺精度极高,因此电感值可以做到很小,尺寸也可以做到很小,精度高,感值稳定,Q值较高。
图出自Murata Chip Inductor Catalog Murata的LQP系列,可以做到01005封装,高精度产品的容差可以做到0.05nH,最小感值可以到0.1nH,这三个参数值可以说是当前电感的极限了。其他,像Abracon的ATFC-0201HQ系列也可以做到最小0.1nH。Murata有三种工艺的高频电感,选择了同感值(1.5nH)、同封装、同容差的电感对比。
可以看出绕线型的Q值明显高于其他两种,而薄膜型的电感值的频率稳定性高于其他两种。当然,多层型的成本明显低于其他两种。 选择高频电感时,除了需要确定电感值、额定电流、工作温度、封装尺寸外,还要关注自谐振频率、Q值、电感值容差、电感值频率稳定性。 电感值通常需要根据仿真、实际调试或者参考设计来确定。大多数情况,多层片状高频电感已能满足要求,一些特殊场合可能需要关注: *电感值较大,自谐振频率较低,需要注意工作频率应远低于自谐振频率 *大功率射频设备,PA偏置电流较大,需要选择绕线型以满足电流要求;同时大功率设备温升较高,需要考虑工作温度
*对于一些宽带设备,需要电感值在带宽内稳定,那么应选择薄膜电感 *对于高精度的VCO电路中,作为LC谐振源,只有薄膜电感能提高0.05nH的容差
*像手机、穿戴式设备,尺寸可能是最关键的因素,薄膜电感可能是比较好的选择 有一些高频电感具有方向性,贴片安装的方向对电感值有一定影响,如下图所示:
引自Why is there a direction mark on inductors? 可以看出,标记点朝侧面,感值变化较大,所以贴片时应注意让电感上的标记点朝上。另外,Layout时,应注意两个电感不能紧邻着放置,至少距离20mil以上。原因就是磁场会相互影响,从而影响感值,参考前文共模电感示意图。 引用自:ittbank *免责声明:本文引用自ittbank。文章内容系作者个人观点,转载仅为了传达不同观点交流与提升半导体行业认知,不代表对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系。
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